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推动我国首个砷化镓激光器研制成功50年
时间:2021-02-07 00:04 点击次数:
本文摘要:熟悉我国微电子科学技术领域的人们,在这个领域有三足鼎立,黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从海外回来的博士、中国科学院学部委员说。黄昆、谢希德两人分别在晶格动力学衍射理论和表面状态物理方面创立,王守武则主要攻击半导体设备物理,偏重应用。现在这三位优秀科学家中的前两位已经古老,唯一一起的只有王守武先生。 与朱、杜两人相比,王守武的知名度稍差,这可能与他在科研和产业化第一线专业从事实际工作有关。

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熟悉我国微电子科学技术领域的人们,在这个领域有三足鼎立,黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从海外回来的博士、中国科学院学部委员说。黄昆、谢希德两人分别在晶格动力学衍射理论和表面状态物理方面创立,王守武则主要攻击半导体设备物理,偏重应用。现在这三位优秀科学家中的前两位已经古老,唯一一起的只有王守武先生。

与朱、杜两人相比,王守武的知名度稍差,这可能与他在科研和产业化第一线专业从事实际工作有关。今年是王老推进中国首个砷化镓激光开发成功的第50年,也是第一位海归博士回国工作的第63年。

上世纪80年代中期,王老在上海推进集成电路产业化工作期间,笔者幸运地参加了邀请,有机会认识有名的业内科学家。之后,我有几次机会看到他,最近去年在美国他的女儿家。当时,他思维清晰,记忆力强,声音宏伟,耳朵有点重听。

尽管已经94岁了,王老还在担心祖国超大型集成电路工业的生产状况。从那以后,笔者想写下自己理解的王守武院士的事迹,在中国半导体技术和集成电路产业领域有这样的开拓者。名门望族海归王守武1919年出生于苏州名门望族。

父亲王季同(1876-1948)是留英学者,1927年跟随蔡元培筹划中央研究院,在数学和机电方面有着深厚的造诣。王守武4岁时和父亲一起来上海,少年时代几乎在苏州、上海两地生活读书。高中毕业前夕,由于疟疾严重,学校年底考试和苏州全区毕业会考试延误,只拿到毕业证书的他不能进清华、燕京等名校,要求德国哥哥的建议,进入上海同济大学德文补习班自学。

一年后,他回到苏州中学参加中学会,取得高中学位,成为同济大学机电系的学生。1941年毕业后,王守武在工厂工作了几年,然后转到同济大学教书。1945年抗战胜利,向往科学救国的王守武于当年10月进入美国印第安纳州普渡大学研究生院修读工程力学,次年6月获得硕士学位。各科成绩优异,校方帮助他修理博士学位。

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此时,蓬勃发展的量子力学引起了王守武的兴趣,他之后从工程力学转变为微粒体运动规律的研究,两年后取得博士学位后转入教学。1949年新中国正式成立,特别是1950年朝鲜战争激烈后,在美国王守武回国。他以探望年老多病的寡妇为理由,逃跑的时机,带着在美国学习的妻子葛修怀先生(上海籍),爱着一岁的女儿,1950年回到祖国。

由此,王守武开始了为国效力的职业生涯。从零开始的突击1956年,在周恩来总理的特地指导下,我国制定了12年的科学技术发展远景计划,半导体技术被列入当时的4个科学研究重点之一。中央有关部门要求黄昆、谢希德、王守武等着名学者在人才培养和开拓研究方面展开突击。

王守武在美国学习的主要还是一点物理本身的内容,但他知道半导体工作的重要性,决心中断其他科研项目,全身心投入半导体研究,在中国科学院应用于物理所重建国内首个半导体研究室,首先抓住的是晶体管中最基本的材料锗的制备。他在捕捉锗材料的制备的同时,特别领导设计生产了中国第一台半导体锗材料的单晶炉,1957年底拉制成功了中国第一个锗单晶。

同年11月底至次年初,王守武与同事合作,开发了中国首个锗合金晶体管,控制锗晶体混合技术,控制锗晶体的导电类型、电阻率和少数载流子寿命等电学指标,超过了零件生产的拒绝。1957年,林兰英博士回国,王守武特地到她寄居的酒店,顺利将她调动到半导体工作组,就业材料研究组组长,具体实施硅单晶拉制。在王守武、林兰英和课题组的共同努力下,我国首个硅单晶于1958年7月问世。

为了增进我国第二代(晶体管型)电子计算机的研究,在王守武等组织的指导下,1958年,中国第一家生产晶体管的工厂中国科学院109工厂成立,专从事锗高频晶体管的批量生产。


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